[하비엔뉴스 = 박정수 기자] 삼성전자는 세계적 학술지 <어드밴스드 머티리얼스>에 ‘플래시 메모리 저장 원리’에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다.
<어드밴스드 머티리얼스>에 게재된 논문은 삼성전자 혁신센터 CSE팀의 최운이 박사가 제1저자 및 교신저자를 맡고, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여했다.
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| ‘플래시 메모리 저장 원리’ 논문에 참여한 삼성전자 혁신센터 CSE팀과 SAIT 연구진. [사진=삼성전자] |
삼성전자 혁신센터 CSE팀은 앞서 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다.
이번 연구는 특히 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의미가 있다는 것이 삼성전자 측의 설명이다.
삼성전자 관계자는 “셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화하는 V낸드 기술도 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 메모리 기술 혁신을 이뤄내기 힘든 단계에 직면했다”며 “비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 저장 원리로, 구체적 내용에 대해서는 이번 연구 전까지 밝혀지지 않았다”고 설명했다.
이번 논문은 실리콘 질화물을 이루는 원자들인 실리콘 원자(Si)와 질소 원자(N)가 결합과 구조 변화를 통해 안정화되는 원리가 바탕이다.
삼성전자는 이번 연구를 근거로 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자 관계자는 “V낸드의 혁신은 더 저렴한 가격으로 데이터를 저장할 수 있다는 걸 의미하고, 풍부한 디지털 데이터는 인공지능이 학습할 수 있는 데이터가 많아진다는 것을 뜻한다”며 “다른 주변 기술들과 시너지 효과를 일으켜 인공지능과 같은 핵심기술의 진보를 앞당길 수 있다”라고 말했다.
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