[하비엔뉴스 = 박정수 기자] 삼성전자가 영국 반도체 설계업체 Arm과 함께 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반의 최첨단 반도체를 만든다.
삼성전자 파운드리 사업부는 21일 GAA 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP을 최적화해 양 사 협력을 강화한다고 21일 밝혔다.
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| 삼성전자 평택캠퍼스. [사진=삼성전자] |
삼성전자는 이를 통해 팹리스(반도체 설계 전문회사) 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화한다는 계획이다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술이다.
삼성전자는 앞서 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입해 현재 1세대 양산 및 2세대 공정을 개발 중이다.
양 사는 팹리스 기업에 적기에 제품을 제공하고, 우수한 PPA(소비전력·성능·면적) 구현에 초점을 맞출 계획이다. 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다.
또 차세대 데이터센터와 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보이는 등 다양한 영역에서 협력을 확대한다는 방침이다.
한편 양 사의 이번 협력 확대를 통해 파운드리 사업에도 ‘훈풍’이 기대된다. 삼성전자는 지난해 4분기 시장 수요 약화로 파운드리 실적이 부진했지만, 연간으로는 최대 수주 실적을 기록했다.
시장조사기관 옴디아에 따르면, 2023~2026년 사이 전 세계 파운드리 시장의 성장률은 연평균 13.8%로 예상되고, 특히 3나노 이하 최첨단 공정의 연평균 성장률은 64.8%로 전망된다.
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