[하비엔뉴스 = 박정수 기자] 삼성전자는 올해 1분기 메모리 사업이 흑자를 낼 수 있을 것으로 전망했다. 삼성전자는 그러나 메모리 수요가 회복세를 보인 가운데, 기존 감산 기조는 계속 유지한다는 입장이다.
31일 열린 ‘지난해 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜’에서 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “생성형 AI(인공지능) 관련 HBM(고대역폭 메모리) 서버와 SSD 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다”라며 “이에 따라 올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라고 말했다.
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| 삼성전자 화성캠퍼스. [사진=삼성전자] |
이어 “업계는 메모리 생산 전반의 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)가 제한적일 것이라고 예상하는 만큼 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급할 계획이다”라고 덧붙였다.
삼성전자의 지난해 4분기 D램 및 낸드 비트그로스는 각각 전 분기 대비 30% 중반대 증가를 기록했다. 또 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드는 높은 한 자릿수 상승을 보였다.
삼성전자는 올해 1분기 비트그로스의 경우 D램이 시장 수준인 1% 중반 하락하고, 낸드는 시장 수준인 낮은 한 자릿수 감소할 것으로 예상했다. 따라서 삼성전자는 기존 재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다는 입장이다.
김 부사장은 “4분기 출하량 증가와 지금까지의 생산 하향 조정으로 재고 수준은 빠른 속도로 감소했다”며 “특히 시황 개선 속도가 상대적으로 빠른 D램을 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다”라고 말했다.
다만, D램과 낸드 모두 세부적인 재고 수준 차이가 있는 만큼 상반기에도 선별적인 생산 조정을 이어 나간다는 것이다.
HBM 판매량의 경우 지난해 4분기에는 전 분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비는 3.5배 각각 성장했다. 이에 삼성전자는 차세대 HBM3E 제품 사업화와 그 다음 세대인 HBM4 개발도 계획대로 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다.
김 부사장은 “생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하는 상황에서 표준 제품뿐 아니라 로직 칩을 추가해 고객별로 성능을 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중이다”라며 “HBM4은 오는 2025년 샘플링 및 2026년 양산을 목표로 개발하고 있다”라고 말했다.
올해는 메모리 수요 환경이 점차 회복세를 보이고, 지난해 위축된 시설투자(캐펙스)는 HBM을 중심으로 회복할 것으로 삼성전자는 예상하고 있다.
김 부사장은 “올해는 업계 내 캐펙스가 일부 회복될 것으로 예상된다”며 “다만, 상당한 비중으로 HBM에 집중되고, HBM 외 제품들은 비트그로스 성장이 제한적일 수밖에 없을 것으로 보인다”라고 말했다.
한편 삼성전자는 지난해 4분기에 시장 수요 약화로 실적이 부진했던 파운드리 부문은 올해의 경우 기기 자체에서 AI를 구동하는 온디바이스 AI 수요에 기대를 걸고 있다.
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