[하비엔뉴스 = 박정수 기자] 삼성전자는 업계 최초로 최대 용량인 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다고 1일 밝혔다.
32Gb는 D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량으로, 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산한다는 계획이다.
 |
| 삼성전자의 32Gb DDR5 D램. [사진=삼성전자] |
삼성전자는 앞서 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 이번 32Gb D램 개발을 통해 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다. 특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현, 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작이 가능하다.
TSV 공정은 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때 거쳐야 하는 필수 기술이다.
이번 제품은 동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선도 가능해 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량·고성능·저전력 제품을 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인한다는 계획이다.
시장조사기관 IDC에 따르면, 글로벌 IT 기업의 고용량 D램 수요 급증으로 서버당 D램 탑재량은 올해 1.93TB에서 오는 2027년 3.86TB로 늘어날 전망이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램 개발로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것이다”라고 말했다.
[ⓒ 하비엔뉴스. 무단전재-재배포 금지]
